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基于sio2/si晶片的cvd石墨烯/cvd六方氮化硼异质结
石墨烯/h-bn薄膜的性质：
单层h-bn薄膜上的单层石墨烯薄膜转移到285nm（p掺杂）sio2/si晶片上
尺寸：1cmx1cm 4片装
每个薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制
该产品的覆盖率约为98％
薄膜是连续的，有小孔和有机残留物
高结晶质量
石墨烯薄膜预先单层（超过95％），偶尔有少量多层（双层小于5％）
薄层电阻：430-800ω/平方
石墨烯薄膜以及h-bn薄膜通过cvd方法在铜箔上生长，然后转移到sio2/si晶片上。
硅/二氧化硅晶圆的特性：
氧化层厚度：285nm
颜色：紫罗兰色
晶圆厚度：525微米
电阻率：0.001-0.005欧姆 - 厘米
型号/掺杂剂：p /硼
方向：<100>
前表面：抛光
背面：蚀刻
更多访问：
http://www.sunano-materials.com/sonlist-2349470.html
https://www.chem17.com/st311423/product_36972593.html